发布时间:2025-11-24 来源:芯风口
摩根士丹利认为,全球存储从扩产、涨价牵动需求、产业循环与回调原因深度分析。
市场担心DDR4是否出现大规模扩产,大摩不仅给出否定答案,更强调,三大厂目前均将资源优先投入HBM4和HBM3E,若要逆向增加DDR4供给,不仅需重新调整电路设计,也需要重新配置设备,成本与时间都没有吸引力。
简而言之,市场对三大原厂可能扩充DDR4产能、或延长DDR4产品生命周期(EOL)的担忧,都不必要。
其次,投资人关心经过大幅涨价后,传统DRAM需求是否依然亮眼?
答案是肯定的。
主要原因包括:
第一,14和22nm系统级芯片(SoC)的存储控制器多仅支持DDR4,并不支持DDR5,部分应用不太可能转向DDR5。
第二,从DDR4移转至DDR5,反而可能带来不必要的系统稳定性与相容性风险。
第三,DRAM在多数系统物料清单(BOM)中占比偏低,价格上涨对整体成本影响有限。
存储市场循环从来不是以单一季度或年度为单位,通常是一个跨越四至六个季度的产业周期;对比目前仅走过约二个季度,显示循环仍处于早期阶段。
受到AI需求强劲推动,本轮DDR4结构性供给短缺与价格调升幅度前所未见,DDR4合约价仍有大幅上涨空间,甚至可能较谷底上涨数倍;同时,由于DDR4 16Gb渠道库存几乎为零,现货价也具备上行潜力。
整体而言,存储价格、相关供应商获利展望、供需失衡等情况完全不变。