12月3日消息，虽然此前戴尔宣布其生产的新一代Blackwell架构的GB200NVL72服务器已经正式出货，这也反应了英伟达GB200芯片也已经开始批量出货。但是，据台媒《工商时报》报道，GB200在量产计划中遇到了新的技术障碍。导致了CSP供应商微软削减了40%的订单。 报道援引供应链消息人士的话称，此次问题出在背板连接设计上，美国一级供应商安费诺提供的卡式连接
发布日期：2024-12-03 来源：芯智讯-浪客剑12月2日消息，据外媒报导，尽管苹果公司的A系列和M系列自研芯片通常遵循每两年提升一代制程工艺的节奏，比如7nm和5nm制程均持续了两年的时间。但进入3nm时代，苹果公司很有可能将这个时间延长，也就是说苹果明年推出的A系列和M系列将会继续使用3nm制程，而不是采用台积电下一代的2nm制程。 从技术上来看，这并不是苹果第一次连续3年使用相同的制程技术。比如苹果曾于20
发布日期：2024-12-02 来源：芯智讯-林子12月1日消息，据韩媒TheElec报导，苹果公司已向台积电订购用于iPadPro和Mac的M5芯片，该芯片采用先进Arm构架和台积电3nm制程。虽然M4芯片也采采用3nm制造，但新芯片将带来额外的性能提升，量产计划将于2025年下半年开始。 报道称，苹果M5芯片舍弃2nm技术，由于成本问题才选择了3nm，预期再等一年之后，旗下M系列和A系列芯片
发布日期：2024-12-01 来源：芯智讯-林子12月1日消息，全球学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别的会议ISSCC即将于2月16日至2月20日在加利福尼亚州旧金山举行。三星已宣布将于2月19日在ISSCC期间举行的“非易失性存储器和DRAM”专题活动上，展示其超快的GDDR7显存，该显存比旗舰级GDDR6显存快约77%。据介绍，三星旗舰级GDDR7DRAM，可以以高达42.5Gbps的速度运行。它将是一个24Gb或
发布日期：2024-12-01 来源：芯智讯-林子近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），全新推出5000万像素1/1.28英寸手机应用高端图像传感器新品——SC585XS。这是思特威基于28+nmStack工艺制程打造的全流程国产5000万像素高端旗舰手机应用图像传感器。SC585XS具备1.22µm大像素尺寸，搭载思特威专利SFCPixel®-2、PixGainHDR®及All
发布日期：2024-11-28 来源：芯智讯11月27日消息，英飞凌近日宣布推出业界首款用于太空和极端环境应用的512Mbit抗辐射加固设计QSPINORFlash。据介绍，这款NORFlash采用快速四串行外设接口（133MHz），具有极高的密度、辐射和单次事件效应（SEE）性能，是一款完全通过QML认证的非易失性存储器，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。 △512Mbit抗辐射加固设计Q
发布日期：2024-11-27 来源：英飞凌11月26日消息，随着英伟达新一代旗舰级游戏显卡GeForceRTX5090即将发布，英伟达也正在为中国市场开发基于RTX5090的定制版，以符合美国的对华出口管制政策，预计型号为RTX5090D，可能会在1月与RTX5090同步上架销售。虽然目前尚不清楚RTX5090D的具体规格，但是参照上代的RTX4090D，不难猜到，RTX5090D相对于RTX5090来说，CUDA核心数将会
发布日期：2024-11-25 来源：芯智讯-林子
