南韩记忆体巨头SK海力士昨（23）日示警，DRAM与储存型快闪记忆体（NANDFlash）等标准型应用产品需求正加速下滑，目前记忆体仅资料中心、AI等相关应用撑盘。 SK海力士是全球第二大DRAM厂暨前四大NAND芯片厂，其看淡手机、PC等标准型产品应用市况，最快今年下半年才有望回温。 在AI应用的高频宽记忆体（HBM）热销带动下，SK海力士上季获
发布日期：2025-01-23 来源：经济日报1月21日凌晨，中国台湾嘉义大埔地区发生里氏6.4的浅层地震，造成中科与南科部分半导体及面板厂一度停机与人员疏散，目前已逐步恢复。根据台媒中广新闻网的最新报道称，此次地震导致了台积电Fab18A/18B、Fab14A/14B两座晶圆厂损失了约6万片晶圆。在地震发生当天，台积电曾对外表示，为确保人员安全，各厂区依照内部程序启动相关安全预防措施，部分中部及南部厂区在第一时间进行人员疏散。
发布日期：2025-01-23 来源：芯智讯-浪客剑近日，半导体领域来了一则激动人心的消息：哈尔滨工业大学（简称哈工大）宣布成功研发出中心波长达到13.5纳米的极紫外（EUV）光技术，这一历史性的成就为中国光刻机技术的发展注入了强劲动力，为深陷困境的中国芯片制造业带来了突破性的曙光。 光刻机，作为芯片制造的基石设备，其技术水准直接关乎芯片的制造精度与性能表现。长久以来，极紫外光刻机技术一直被国际少
发布日期：2025-01-22 来源：半导体封测根据MoneyToday报道，SK海力士最快将于2月成为全球第一家使用1c工艺大规模生产DRAM芯片的公司，SK海力士最近完成了1cDDR5的量产认证。图片来源：SKHynix而根据MoneyToday的报道，另一家韩国内存巨头三星可能再次陷入困境。根据报道，三星已将其10nm级第六代（1c）DRAM的开发再推迟6个月，将目标日期推迟到2025年6月。这也会使预定下半年量产的第六代高
发布日期：2025-01-22 来源：芯片小牛犊1月22日消息，据Eenewseurope报道，意法半导体（STMicroelectronics）和GlobalFoundries（格芯）已决定搁置共同投资75亿欧元在法国Crolles建造一座合资FDSOI晶圆厂的计划。 早在2022年7月，意法半导体与GlobalFoundries就宣布将在法国Crolles建立合资晶圆厂，随后在2023年6月，意法半导体与Gl
发布日期：2025-01-22 来源：芯智讯-浪客剑1月21日消息，据韩国媒体MoneyToday报导，DRAM大厂三星电子之前宣称其第六代10nm级1cDRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致开发延后6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的第六代高频宽內存（HBM4）一并延后。报导引用市场人士说法，三星电子第六代10nm级1cDRAM制程遇到困难。尽管在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯
发布日期：2025-01-21 来源：芯智讯-林子IT之家1月22日消息，半导体互联IP企业BlueCheetah美国加州当地时间昨日表示，其新一代BlueLynxD2D裸晶对裸晶互联PHY物理层芯片在三星Foundry的SF4X先进制程上成功流片（Tape-Out）。 BlueCheetah在三星SF4X上制得的D2DPHY支持高级2.5D和标准2D芯粒封装，总吞吐量突破100Tbps大关，同时在面积和功耗表现上
发布日期：2025-01-21 来源：IT之家
