据外媒报道，市场评估，台积电规划将中国台湾既有8英寸晶圆旧厂转型为先进封装厂区，既有封测厂将支持2nm先进制程，嘉义和台南将成为新封测重镇。此外台积电也在美国扩充先进封装产能。 台积电在年报中说明，持续开发先进封装和3D芯片堆叠技术，包括CoWoS、扇出整合型（IntegratedFan-Out,InFO）、3D系统整合芯片（TSMC-SoIC）和硅光子（SiliconPhotonics）等。 台
发布日期：2026-04-13 来源：满天芯4月1日消息，根据台积电最新提交的文件披露，其日本第二晶圆厂将采用3纳米先进制程技术，月产能规划为1.5万片12英寸晶圆。 这一计划于2028年正式投产，届时第二晶圆厂将成为日本国内首个具备3纳米制程生产能力的晶圆厂。 台积电于2021年在日本设立子公司“日本先进半导体制造”（JASM），初期获得索尼半导体解决方案公司的支持，此后日本电装（DENSO）及丰田汽车相继以少数股东身份加入。 早在今年
发布日期：2026-04-02 来源：国际电子商情4月1日消息，近日，国产晶圆代工大厂中芯国际成立一家全新的全资子公司——上海芯三维半导体有限公司（以下简称“芯三维”）。 据天眼查资料显示，芯三维成立于2026年3月31日，法定代表人为王永，注册资本4.32亿美元，经营范围包括集成电路制造、集成电路销售、集成电路芯片及产品制造、集成电路芯片及产品销售、货物进出口、技术进出口等。 虽然目前没有关于芯三维的更多资料，但是从该公司的名称来看，应该是
发布日期：2026-04-01 来源：芯智讯3月31日消息，据《韩国经济日报》报道，为了缩小与晶圆代工龙头大厂台积电在尖端制程领域的差距，三星电子已经制定了明确的制程演进计划，将于2031年正式量产1nm（SF1.0）制程。 报道称，三星电子晶圆代工部门预计将在2030年完成1nm半导体制程的研究与开发，然后将于2031年正式导入量产，预计量产后的1nm芯片的线宽相比三星目前最先进的2nm制程技术将缩减一半。与之对应的，三星将需要解决1nm
发布日期：2026-03-31 来源：芯智讯3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8（236层堆叠）3DNAND闪存的量产。 本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，旨在提升产品性能与生产效率，满足AI时代对高性能存储设备的需求。 在量产V8NAND后，三星西安晶圆厂的下一步已瞄准286层堆叠的V9NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2
发布日期：2026-03-31 来源：国际电子商情近日，SK海力士在监管文件中宣布，将以约11.95万亿韩元（折合人民币约635亿元）的价格，从ASML韩国公司采购极紫外（EUV）光刻设备，用于新一代存储芯片的大规模量产。这批设备预计在2027年12月31日前完成交付。 本次采购的核心设备是ASML的TWINSCANEXE:5200B，也是业内首款可用于量产的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。 与目前主流的0.33数值孔径EUV设备相比
发布日期：2026-03-25 来源：52RD佰维存储(688525.SH)于3月24日发布公告，公司与某存储原厂签署日常经营性采购合同，将按照合同约定的数量、价格及期限向对方采购指定型号存储晶圆。合同总采购金额为15亿美元，承诺采购期限共计24个月，自2026年第二季度起至2028年第一季度止。本次合同属于公司日常经营业务，合同金额已超过公司上一会计年度经审计营业收入及总资产的50%，且金额超过1亿元，达到信息披露标准。若合同顺利执行，将有
发布日期：2026-03-24 来源：是说芯语昨日晚间，湖北鼎龙控股股份有限公司（以下简称“公司”、“鼎龙股份”）发布公告，公司控股子公司鼎龙（潜江）新材料有限公司在潜江市江汉盐化工业园投资建设的“年产300吨KrF/ArF光刻胶产业化项目”主体厂房及配套设施均已建成，经相关主管部门审核后，已于近期顺利投产。 据介绍，公司“年产300吨KrF/ArF光刻胶产业化项目”对标国际一流，建成国内首条“有机合成-高分子合成-精制纯化-光刻胶混配”全
发布日期：2026-03-19 来源：半导体行业观察3月17日消息，据韩国媒体Businesskorea报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（Basedie）将采用2nm工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。 同时，英伟达新款人工智能（AI）推理专用芯片“Groq3语言处理单元（LPU）”已委托三星晶圆代工，并采用4nm工艺生产。三星晶圆代工事业部总裁兼
发布日期：2026-03-17 来源：芯智讯
