KB证券预测，三星电子将从DRAM供应短缺中获益最多，并预测明年DRAM营业利润将同比增长2.3倍，达到60万亿韩元。

维持对三星电子的买入评级和15万韩元的目标价。

今年第四季度以来，DRAM供应短缺的情况日益紧张，三星电子预计将把1z以下的通用DRAM生产线改造为1b DRAM生产线，因此明年DRAM比特出货量有望提升，带来惊喜。

由于70%的DRAM总产能，都用于通用DRAM的生产，预计明年DDR5的利润率将超过HBM3E。

到2027年，DRAM市场将重组为供应商主导的市场，并且三星电子将在未来，至少两年内持续提升在通用DRAM和HBM领域的议价能力。

三星电子的HBM4将于明年应用于英伟达的下一代AI加速器Rubin，目前良率良好，并已实现量产。

三星电子的HBM4采用1c DRAM和4nm逻辑芯片，在英伟达的HBM4中实现了最高速度和低功耗，因此有望成为供应商中单价最高的产品。

由于预计未来无需重新设计，该产品将同时满足英伟达对规格提升和产量增加的要求。

由于1c工艺必须应用于计划于2027年量产的HBM4E，提升速度和生产效率，因此只需提前提升平泽P4工厂的1c DRAM产能即可。

三星电子明年的HBM出货量将同比增长2.5倍。

预测营业利润将同比增长108%，创下82万亿韩元的历史新高。