全球DRAM市场供不应求，很可能要延续到2026年底，也很难缓解。

2026年DRAM总容量需求预计增长25%，但供给增幅难以匹配，供应商目前库存约3周，将继续维持低位或者进一步下滑。

供给紧张的核心在于2025-2026年的资本支出结构向HBM转移，2025年主要用于制程迁移和HBM扩产，受限于现有厂房洁净室面积，2026年几乎无法启动大规模新建晶圆工厂。

同时，HBM需求持续上修，进一步挤压常规DRAM晶圆投片。

三星电子平泽P4产线以HBM为主，2026年下半年产能逐步爬坡。

SK海力士清州M15X同样是HBM，2026年中期开始贡献有效产能。

龙仁半导体园区2027年投产，三星电子P5预计2028年投产。

整体而言，2026年全球DRAM供应弹性很低。

供应紧张持续时间越长，潜在价格波动越大，直接推动客户接受长期供应协议。

已经从HBM转移到了服务器DDR5，LPDDR5X和企业级SSD等主流产品。

客户愿意支付一定溢价锁定2-3年供应，换取出货量可见度，供应商获得前所未有的需求能见度。

需求核心驱动，AI应用周期从训练阶段扩大转向推理阶段的横向部署和跨领域扩展，带动常规服务器DRAM和客户端DRAM出现结构性需求暴涨。

高确定性的需求展望为厂商提供资本支出决策依据，从根本上降低存储业务周期波动。

这次超级周期和以往完全不同，供给端物理约束叠加AI驱动的刚性需求，行业在宏观不确定性下维持强势定价权。

存储行业正因为供需失衡引发商业模式重塑，这一进程还处在早期阶段，2026年供需缺口将支撑供应商主导格局。