过去两年，围绕着SiC的内卷，已经有了很多讨论，这也引起了一系列的连锁反应。

例如，据10月份发布的行业报告显示，今年以来，主流6英寸SiC基板价格持续下滑，降幅接近30%。报告引述业内人士消息透露，截至2024年中，6英寸SiC基板价格已跌破500美元，逼近厂商生产成本，到今年第四季度，价格进一步跌至450美元甚至400美元，给多数厂商带来资金压力。

虽然这些讨论很多都是围绕本土的SiC进行。但从最近的行业进展看来，全球行业巨头都遭受到了这股逆风的影响。

WolfSpeed裁员，关厂

近日，总部位于达勒姆的 Wolfspeed 公司宣布裁员 20%，大部分裁员来自达勒姆工厂。

Wolfspeed 是一家领先的宽带隙半导体，专注于碳化硅和氮化镓材料，包括微芯片。通用汽车和梅赛德斯奔驰是其客户之一。上个季度，该公司员工人数已因自然减员和自愿提前离职而减少了 10%，其余 10% 则来自当前的裁员通知。

该公司在其 2024 年年度报告中表示，其拥有 5,013 名全职和兼职员工。此次裁员是 8 月份宣布关闭位于达勒姆的 150 毫米生产工厂以及位于德克萨斯州法默斯布兰奇的一家工厂的一部分，并且德国的计划也将无限期暂停。

Wolfspeed 首席执行官 Gregg Lowe 在一份声明中表示，公司在 2025 财年采取行动巩固资本结构，简化业务以加速结构性盈利能力，并支持建设其最先进的碳化硅设施，包括位于纽约莫霍克谷的 200 毫米碳化硅工厂和北卡罗来纳州的材料工厂，他表示这每年将创造约 30 亿美元的收入。

“为了推动运营改进，我们正在采取行动提高效率，使我们的业务与当前市场条件保持一致，并成为第一家过渡到纯 200 毫米的碳化硅公司，”他说。“过渡到完全 200 毫米平台使我们能够采取进一步的举措来简化我们的成本结构，包括关闭我们的手动达勒姆 150 毫米工厂、其他制造足迹合理化以及减少我们的员工。综合起来，我们预计这些举措每年将产生约 2 亿美元的现金节省。”

不到一个月前，拜登-哈里斯政府宣布已签署初步协议，将根据《芯片与科学法案》提供高达 7.5 亿美元的联邦资金，支持在西勒城建设新的碳化硅晶圆制造工厂。

CHIPS 纳税人支付的资金预计将成为Wolfspeed North Carolina 项目的催化剂，该项目是纽约设备制造工厂的扩建项目。这些综合项目预计将在该公司 60 亿美元的产能扩张计划中创造 2,000 多个制造岗位和 3,000 个建筑岗位。

Gregg Lowe透露，Wolfspeed 一季度的汽车业务同比增长了 2.5 倍。他们预计其电动汽车收入将在 2025 年全年继续增长，因为在 2023 年至 2024 年期间，使用 Wolfspeed 碳化硅解决方案的动力传动系统的车型总数增加了 4 倍，预计 2025 年的同比增长率将再提高约 75%。

尽管发布了这一声明，但电动汽车的需求仍呈现下降趋势，尤其是在美国和欧洲。这无疑会给Wolfspeed的前景抹上一道阴影。

ROHM亏损，SiC投资放缓

在Wolfspeed遭受逆风的同时，另一家SiC大厂罗姆也不太好过。

2024年11月7日，罗姆召开了2024财年上半年（2024年4月至2024年9月）财务业绩新闻发布会。关于2024财年全年预测，销售额为4500亿日元，比最初预测减少300亿日元，营业收入将出现150亿日元的赤字（最初预测为盈余140亿日元），净利润为140亿日元。收入将出现60亿日元的赤字（同年），他们宣布将利润下调至140亿日元（盈余140亿日元）。

在罗姆看来，销量下降的原因包括BEV（电池电动汽车）普及延迟、日本汽车制造商对中国的销售疲软。

鉴于这种情况，罗姆大幅修改了投资计划。该公司将在2023财年进行1867亿日元的资本投资，主要用于SiC业务。该公司原计划在2024财年追加投资1650亿日元，但目前已减少至1500亿日元，比最初计划少了150亿日元。此外，该公司计划在2025财年将投资额维持在1000亿日元以下，此前预计为1400亿日元左右。

罗姆原计划在2021年至2027年期间仅在SiC业务上投资5100亿日元，但这将减少至4700亿至4800亿日元。松本先生表示：“我们已经从前期投资阶段转向了根据需求进行战略投资的阶段，重点是 SiC。”

ROHM为其SiC业务设定了2025财年1100亿日元的销售额目标。然而，由于工业机械和电动汽车市场放缓，目标被推迟到2026-2027年。此外，我们计划加强制造能力以应对未来的需求，并推迟了之前公告的调整。

与此同时，ROHM正在推进8英寸SiC晶圆的开发，计划于2025年在筑后工厂（福冈县筑后市）开始量产。此外，从Solar Frontier收购的宫崎第二工厂（宫崎县国富町）原定于2024年开始生产8英寸SiC衬底，但现在该衬底生产的开始日期已定为2025年。

按照ROHM原计划，公司到2025年将SiC功率半导体的产能比2021年增加6.5倍，到2030年增加35倍。但据透露，这个计划已经有改变。

罗姆方面还指出，公司8英寸版本的进展顺利，他说：“如果从6英寸到8英寸，良率将增加1.78倍。我们实际上正在将其翻倍，因为良率也提高了“由于良率接近，加速转向8英寸晶圆将大大提高成本竞争力。”他还谈到通过每两年推出新一代产品来增强性能方面的竞争力，并表示：“通过 SiC，我们希望在监控需求的同时在这两个支柱上取得进展。”

无惧内卷，集体卷向8英寸

在wolfspeed和rohm做出相关调整的同时，并没有阻碍他们向8英寸SiC迁移。与此同时，作为全球最大的SiC供应商，ST也正在加速走向200mm碳化硅。

ST CEO在早前的财报会上表示：“公司宣布启动一项新的全公司计划，以重塑制造足迹，加速晶圆厂产能向 300 毫米硅和 200 毫米碳化硅的转型，并调整全球成本基础。”

今年六月，ST宣布将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量 200 毫米碳化硅 (SiC) 制造工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。这些工厂与在同一地点准备就绪的 SiC 基板制造工厂相结合，将组成意法半导体的碳化硅园区，实现公司在一地大规模生产 SiC 的完全垂直整合制造工厂的愿景。

碳化硅园区将成为意法半导体全球碳化硅生态系统的中心，整合生产流程中的所有步骤，包括碳化硅衬底开发、外延生长工艺、200 毫米前端晶圆制造和模块后端组装，以及工艺研发、产品设计、芯片、电源系统和模块的先进研发实验室以及完整的封装能力。

根据规划，新工厂计划于 2026 年开始生产，到 2033 年达到满负荷生产，满负荷生产时每周可生产多达 15,000 片晶圆。

另一家SiC国际巨头英飞凌在八月份也公布，公司位于马来西亚居林的 200 毫米碳化硅 (SiC) 晶圆厂已开始生产。

根据英飞凌在2023年发布这家公司的时候透露，未来五年，英飞凌将在居林模块三期建设的第二阶段额外投资高达 50 亿欧元。这项投资将带来约 70 亿欧元的年 SiC 收入潜力，加上菲拉赫和居林计划进行的 200 毫米 SiC 转换。这个竞争激烈的制造基地将支持英飞凌在 2020 年前实现 30% 的 SiC 市场份额目标。英飞凌有信心，该公司 2025 财年的 SiC 收入将超过 10 亿欧元的目标。

另一家继续往八英寸走的SiC巨头是安森美。

在Q2的时候，onsemi 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 表示：“我们仍在按计划实现今年将实现 8 英寸认证的目标，我所说的认证是指基板一直到晶圆厂。因此，今年将实现认证，明年的收入将符合我们的预期。”

但到了Q3，安森美透露，公司主要产品领域 SiC 预计今年将实现低至中个位数增长。尽管总收入下降了约 14%。该公司对其市场地位以及 SiC 在新应用和现有应用中日益普及的信心依然强劲。

但分析师表示，鉴于摩根士丹利 6 月份预测该行业在 2024 年将增长 18%，他们对 安森美2024 年收入预期低于预期感到有些意外。分析师指出，该公司表现不佳可能是因为行业预测过于乐观，或者安森美因客户组合而失去市场份额，并补充说答案介于两者之间。

此外，分析师表示，安森美半导体将其 2027 年财务模型的资本强度从 11% 下调至中等个位数百分比，理由是制造效率和从 6 英寸 SiC 晶圆到 8 英寸晶圆的转变导致资本支出较少。

分析师认为这是一个合理的决定，因为利用率为 65%，而 SiC 收入增长低于预期。

写在最后

据DRAMeXchange不完全统计，2024年全球将共计新建14座8英寸碳化硅厂（12座在建，2座即将开工）。短期内仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂能够供应8英寸SiC晶圆，其他厂商预计从明年开始将逐步供应8英寸SiC晶圆。

来到中国，2023年将有超过50个SiC相关扩产项目启动。2024年，预计中国将有超过100家企业进入SiC领域，超过50个SiC项目正在取得重大进展。

为此，这种SiC现状引起了广泛担忧。

公众号“碳化硅芯片学习笔记”的作者“二堡闲人”在近日发表的文章中更是直言，全球的产能规划布局已然过剩，而车厂却在不断优化新技术缩减碳化硅芯片的用量。未来十年，只有更卷，没有技术引领的故事支撑，很多公司会像LED时代一样，三代半已经百家千城，三四级的小县城也开满了三代半产业的鲜花。但未来十年的风云变幻，没有技术引领的加持实在很难让LP们继续跟跑加成。老大哥Wolfspeed尚且如此狼狈，何况其他呢！

“照理来说，其实六寸碳化硅线设备便宜，折旧也早完了，六寸片还不到350美金，越来越便宜。真要赚钱，六寸线还真是个sweetpoint啊！为啥现在的产业逻辑就突然变了呢？!”二堡闲人在其文章中反问道。

在这个环境下，对于SiC的未来，我们该如何预测？