近期，半导体存储领域迎来一项重大突破。SK海力士正式宣布，其已成功实现321层QLCNAND闪存产品的量产。这一消息具有重要意义，标志着存储技术取得显著进展，在行业内引发广泛关注。 什么是321层QLCNAND闪存 （一）QLC技术简介 在深入了解这次海力士的新品之前，先给小白们科普一下QLC闪存技术。QLC，
发布日期：2025-09-09 来源：芯视界据报道，印度政府已经推出了最新路线图，那就是在五到七年后，实现7nm以下工艺的本土生产。 印度联邦信息技术和电子部长阿什维尼·瓦伊什纳在今年五月底表示，印度首款28至90纳米半导体芯片将于今年推出。瓦伊什纳在印度工业联合会商业峰会上发表讲话，回应了那些质疑印度能否进入半导体制造业的批评人士。他解释说，该战略将通过集中式方法，瞄准占市场份额60%的细分市场。
发布日期：2025-09-07 来源：半导体行业观察9月3日消息，台积电发布声明：已收到美国政府的通知，美国将撤销台积电向其南京工厂运送关键设备的豁免！ 据报道，此举可能削弱台积电工厂的生产能力，导致交付延误。就在几天前，美国撤销了韩国芯片制造商三星和SK海力士在华工厂的豁免，限制措施将在120天后生效。 “美国对台积电在南京工厂的‘经验证最终用户’（VEU）地位将于2025年1
发布日期：2025-09-03 来源：国芯网毋庸置疑，在ASML看来，HighNAEUV会是未来的头等大事。在此前的二季度财报说明会上，荷兰设备巨头也确认了一台高数值孔径EUV的收入。他们指出，虽然该项收入确认拉低了毛利率，但总体上依然带来53.7%毛利率的强劲表现。 根据ASML在其第一季度财报电话会议上透露，英特尔已报告使用高数值孔径(High-NA)设备在一个季度内曝光了超过3万片晶圆。这也显著改进了工
发布日期：2025-09-03 来源：半导体行业观察9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用HighNAEUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 在该系统安装的活动中，SK海力士研发部长ChaSeonYong、制造技术部长LeeByoungki和ASML日本SK海力士客户团队负责人KimByeong-Chan共同庆祝了生产下一代DRAM的设备的推出。 此举
发布日期：2025-09-03 来源：芯智讯-浪客剑【光力科技：公司国产半导体设备已进入满产状态】财联社9月2日电，光力科技(300480.SZ)发布投资者关系活动记录表，进入7月份以来，公司国产半导体设备提货速度在加快，目前已进入满产状态，新增订单也在持续增加；短期来看，四季度仍会保持良好的供货趋势。公司适用于超薄晶圆、CPO共封装光学等算力中心数据互联网场景、紧凑型封装的可穿戴设备等领域高精密切割的8231、和高效封装体切割分选的
发布日期：2025-09-02 来源：财联社截至8月29日，我国四大晶圆代工厂中芯国际、华虹半导体、晶合集成、芯联集成皆发布了半年报。整体来看，四大代工厂营收稳定增长，但净利润表现不一。面向结构复杂的下游需求，各代工厂对于订单能见度和增长重点有着不同的感知，并对下半年做出了“稳中有进”的判断。 营收均两位数增长，净利润表现各异 上半年，国内四大代工企业的营收均实现两位数的同比增长，但归母净利
发布日期：2025-09-01 来源：中国电子报
