近日，SK海力士在监管文件中宣布，将以约11.95万亿韩元（折合人民币约635亿元）的价格，从ASML韩国公司采购极紫外（EUV）光刻设备，用于新一代存储芯片的大规模量产。这批设备预计在2027年12月31日前完成交付。

本次采购的核心设备是ASML的TWINSCANEXE:5200B，也是业内首款可用于量产的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。

与目前主流的0.33数值孔径EUV设备相比，这款新机的数值孔径提升至0.55，光学性能提升约40%，可让晶圆上的电路精度提升约1.7倍，芯片集成度提升近2.9倍，为更先进的制程工艺提供关键支撑。

SK海力士计划借助这批新设备，加快推进第六代（1c）DRAM工艺的过渡，进一步巩固其在AI存储领域的竞争力。1c工艺将用于下一代DDR5、LPDDR6及高带宽内存（HBM）等主力产品，有助于提升芯片能效、数据处理能力与整体生产效率。

事实上，早在去年9月，SK海力士就已率先导入全球首台可量产的High-NAEUV光刻机，并在韩国利川M16工厂完成装机。

此外，SK海力士今年资本开支预计将同比大幅增长，公司计划将资本开支与营收的比例维持在35%左右的中等水平。

按照ASML此前规划，未来将根据市场需求供应约56台EUV光刻机，其中约20台计划交付给SK海力士。随着本次订单落地，SK海力士的EUV光刻机总保有量有望达到约40台，与三星电子（约60台）的差距将进一步缩小。

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