12月28日消息，据韩媒The Elec 媒体报道，存储芯片大厂SK海力士的M15X 晶圆厂将比原定时间提前4个月投产。

报道援引消息人士透露，SK 海力士计划2026年2月在M15X晶圆厂开始生产1b DRAM，这是用于其最新的高带宽内存（HBM4）的核心，相比其原本计划的2026年6月投入晶圆生产提前了4个月。该晶圆厂初期月产能预计约1万片，但预期到2026年底将扩增至5.5万至6万片。

在今年9月，SK海力士已经成完成了HBM4客户样品制作，并供应给英伟达进行测试，目前正处于这个最终优化阶段、进展顺利。英伟达将向SK海力士订购HBM4，以搭配其最新的Rubin AI 加速器。

此前资料显示，SK海力士为兴建M15X晶圆厂投入超过20万亿韩元，该厂位于M15附近，并专注于生产1b DRAM，用作HBM3E/HBM4的核心芯片。消息人士透露，M15X初期月产能为3.5万片晶圆，未来预计可扩大至5.5万至6万片。

SK海力士自去年底开始为该厂预定设备，部分韩国利川厂区的DRAM员工也被调往该晶圆厂，以协助安装设备并进行量产准备。M15X拥有比现有厂房更大的无尘室，因为HBM制程需要比传统DRAM更高的空间与设备容量。