9月16日，半导体行业迎来一则重磅消息，联发科正式对外宣布，其首款采用台积电2纳米制程工艺的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tape out），并且预计将于2026年底正式进入量产阶段，随后推向市场。这一消息的公布，瞬间在行业内掀起了波澜，引发了众多业内人士和消费者的广泛关注。

台积电的2纳米制程技术堪称一大突破，它首次采用了纳米片（Nanosheet）电晶体结构。这种创新的结构设计，为芯片带来了多方面的显著提升。在性能上，能够使芯片运行更加流畅，处理复杂任务时更加得心应手；在功耗方面，极大地降低了芯片的能量消耗，延长了设备的续航时间；在良率上，也实现了有效提高，有助于降低生产成本，提升产品的市场竞争力。

台积电增强版2纳米制程技术优势显著，较N3E制程，逻辑密度增1.2倍，相同芯片面积可集成更多晶体管，为性能飞跃筑牢硬件根基。相同功耗下性能提升18%，计算能力更强；相同速度时功耗降约36%，对追求性能功耗平衡的现代电子设备意义重大。

联发科与台积电合作历史悠久、成果显著，在多领域深度合作打造高性能低能效芯片组，广泛应用后获用户好评。此次首款2纳米旗舰SoC设计流片成功，是双方技术实力的见证，也标志着伙伴关系迈向新里程碑，为未来合作奠基。

虽未公布具体名称，但推测或为下一代天玑9系旗舰天玑9600。天玑系列是联发科王牌，受厂商和消费者青睐。若天玑9600搭载2纳米制程技术，有望多维度突破，巩固联发科市场地位，2026年底量产或给行业带来变革惊喜。