2月18日消息，三星副董事长、半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉上周亲自拜访 NVIDIA 总部，展示最新的 1b DRAM 样品。

NVIDIA 去年曾要求三星改良 1b DRAM 设计，新样品即是改良成果。不过 DS 部门负责人亲自向客户展示样品，可说相当罕见。据韩媒报导，三星第五代 10 纳米级（1b）制程DRAM  去年面临良率与过热问题，因此三星打算改变方向，使用 1a DRAM（即 1b DRAM 前身）制造8层和12层HBM3E，并完全跳过1b DRAM 制程，使用1c DRAM 制造 HBM4。然而，NVIDIA 要求三星使用1b

DRAM，但后者改变了方针，因此全永铉这趟旅行很可能是为了确保三星能赢得 NVIDIA 的 HBM3E 订单。目前竞争对手 SK 海力士已经向NVIDIA 供应使用 1b DRAM 制造的 12 层 HBM3E，美光也预期开始制造供 AI 加速器制造商使用的 HBM。上个月，三星表示其改良版 HBM3E 的准备工作进展顺利，将于第二季开始供货。NVIDIA 执行长黄仁勋曾在 CES展上表示，三星需要重新设计其 HBM 才能通过认证。