4月19日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，近期已与晶圆代工大厂台积电签署了一份谅解备忘录（MOU），双方将合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。SK海力士计划通过这一举措着手开发将于2026年开始量产的HBM4，即HBM系列的第六代产品。

SK海力士表示，公司做为AI应用的內存领域的领先者，与全球顶级逻辑代工厂台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、內存厂三方技术合作的方式，公司将实现內存产品性能的新突破。

据介绍，SK海力士与台积电将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，发挥对HBM进行控制的作用。

SK海力士表示，以往的HBM产品，包括HBM3E（第五代HBM产品）都是采用公司自家制程技术来制造的基础裸片。但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（Logic）制程技术，藉由基础裸片采用超细微制成来增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的客制化（Customized）HBM产品。

另外，SK海力士与台积电的合作，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。