11月3日消息，苹果正在开发用于下一代OLED面板的高迁移率氧化物（HMO）技术，目前优先考察溅射沉积方案，不过最终量产工艺尚未敲定。三星显示和 LG Display同时在推进溅射、原子层沉积（ALD）两条技术路线的研发。

据韩国显示行业11月2日报道，苹果在HMO技术开发阶段，优先评估沿用现有溅射工艺的方案。ALD在薄膜精度、特性调控上更占优势，但设备和材料成本高昂，因此苹果把成本压力更小的溅射方案作为重点考察方向。HMO被认为是未来MacBook、iMac等高清IT OLED面板的候选技术。目前高端OLED普遍采用低温多晶硅氧化物（LTPO）技术，结合硅与氧化物半导体；若HMO性能达标，部分硅工艺可由氧化物替代，简化制造流程、压缩生产成本。

三星显示一边开发基于溅射的HMO技术，一边同步验证ALD方案，现阶段重点验证在大基板上能否满足苹果提出的电子迁移率与可靠性要求。据悉，苹果已经在其位于中国台湾的自研基地完成HMO相关技术验证，并向三星显示提出需求，希望对方验证该技术在8代级大基板工艺上落地的可行性。

LG Display则在6代中小尺寸OLED产线开发溅射路线的HMO技术，同时并行开展ALD研究。去年，LG Display利用ALD制备的氧化物TFT实现约40cm²/Vs的电子迁移率，并推出搭载该器件的OLED样品。但出于新增设备投资成本考量，公司研发重心更偏向可以复用现有溅射设备的路线。

HMO技术用于提升OLED像素开关、亮度调节所用薄膜晶体管（TFT）的性能。现有氧化物TFT电子迁移率约 10cm²/Vs，HMO的目标是将迁移率提升至30~50cm²/Vs。更高的电子迁移率能够承载更大电流，有助于实现高分辨率、高刷新率屏幕。

溅射与ALD都是制备TFT半导体薄层的沉积工艺。溅射依靠等离子体剥离固体材料原子并沉积到基板，能够复用现有OLED产线设备，难点在于要同时实现高迁移率和高可靠性，需要优化材料配比与薄膜结构。ALD借助气态前驱体，以原子层为单位逐层成膜，可精准控制厚度与组分，更容易保证半导体层电学特性与稳定性，但设备、前驱体等原材料成本偏高。

对HMO技术来说，除了实现高迁移率，在成品面板上稳定维持该性能同样关键。就算器件阶段性能达标，经过多道制程、受热或者光照之后，电学特性也有可能发生变化。三星显示、LG Display两家企业正在分别验证不同沉积方案下的器件性能与稳定性，攻克该难题。

一位韩国业内人士表示：“据了解，三星显示和LG Display都把溅射作为优先路线，同时持续研究ALD。ALD的性能优势已经在研发阶段得到验证，但受成本制约，厂商正在加大对溅射方案的测试力度。”