发布时间:2025-06-17 来源:充电头网
小米15S Pro采用6.73英寸全等深微曲屏,这是一款2K低功耗屏,采用定制M9发光材料,支持120Hz刷新率以及3200nits亮度。
后摄模组搭载三颗5000万像素徕卡光学全焦段高速镜头,支持全焦段的4K夜景视频,性能十分强大。
玄戒O1和小米15S Pro手机拆解
我们先看这部手机的最大卖点,搭载玄戒O1的主板拆解。
主板左侧为SOC位置,粘贴铜箔加强散热。主板背面为双层叠板设计,提升空间利用率。主板薄弱位置正反面均焊接金属片加固。
撕下主板粘贴的铜箔,在SOC上方涂有导热凝胶,在基带芯片和UFS芯片上粘贴红色导热垫。
在屏蔽罩中间位置正方形开孔为手机的SOC芯片,为双层封装。
在玄戒O1处理器背面焊接了4颗硅电容和5颗陶瓷电容,用于抑制电源噪声。这也是充电头网首次在国产手机处理器拆解上看到硅电容。
玄戒O1背面焊接的硅电容来自Empower Semiconductor安普沃尔半导体,型号EC1004B,电容尺寸仅为0.64*0.5mm,超薄厚度为75μm,电容容量为230nF,支持-40~125℃工作温度。该硅电容的容值在不同的工作电压和温度下都能保持不变,且ESL低至6.5pH,谐振频率高达300MHz,非常适合封装集成,基板埋嵌,为基于先进工艺的高性能SOC芯片供电滤波。
Empower Semiconductor安普沃尔半导体EC1004B 硅电容特写。
Empower Semiconductor安普沃尔半导体EC1004B 资料信息。
充电头网对小米玄戒O1芯片进行了Decap,对比封装和芯片内部功能分区发现,安普沃尔硅电容背贴在3.9GHZ的Cortex-X925双大核位置,说明硅电容被优先使用到了高频区域,用于提升主频性能,减小电源噪声,提升处理器稳定性,进而超频,极致提升处理器性能。充电头网还从业界专家了解到,安普沃尔的硅电容已经在Intel,Microsoft,Broadcom,Nokia,Meta等众多国际知名大厂量产,出货规模近一亿片,可靠性极高,广受好评。
玄戒O1处理器上层的RAM芯片来自海力士,型号H58G76BV9HX095,为LPDDR5T内存。
美光UFS4.1存储芯片特写,丝印4VA22 JZ624。
玄戒O1处理器外挂联发科T800基带芯片,型号MT6980W。
小米澎湃P3充电芯片特写。
充电芯片来自南芯科技,型号SC6601A。
电源管理芯片来自联发科技,型号MT6376FP。
首先划开后盖四周的粘胶,拆下后盖。
手机背面一览,为传统三段式设计,上方为摄像头和主板,中间为电池和无线充电线圈,底部为副板和扬声器部分。
主板上方设有压板,通过螺丝固定,螺丝粘贴防拆标签。
扬声器来自瑞声科技,为1014B规格,采用全金属封装。
电池为单电芯双接口方案,电池充电限制电压4.53V,电池额定容量为5960mAh,典型容量为6100mAh,标称电压为3.85V,额定能量为22.95Wh,典型容量为23.49Wh,来自东莞新能德科技有限公司。
全家福。