近日，三星综合技术院公开了制造小于10nm的DRAM的技术。

这种技术基于cell-on-peri （CoP），即将存储单元堆叠在外围电路上，以缩减芯片面积，但晶体管被放置在存储单元下方，在高温堆叠过程中容易损坏，导致性能下降。三星电子将自己的技术命名为“用于Sub-10nm CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。三星电子声称，为了防止性能下降，使用了一种非晶态氧化铟镓（InGaO）晶体管，可以抵抗高达550摄氏度的高温。该垂直通道晶体管的通道长度为100纳米，可以与单片CoP DRAM架构集成。该公司指出，在测试过程中，漏极电流的衰减最小，晶体管在老化测试中表现良好。消息人士称，该技术仍处于研究阶段，未来将应用于10nm以下的0a和0b级dram。