DRAM 正站在 10nm 级节点的临界点。D1z、D1a 到 D1b 的推进，不仅意味着几何尺寸的进一步压缩，更是工艺路径与材料体系的重新分野。EUV 与多重图形化短期内并行，电容介质进入 NbO/ZrNbO 的组合时代，外围晶体管全面转向 HKMG，行业的技术博弈已进入微米之下的细节角逐。

在产品层面，算力需求的爆发正驱动新一代存储快速落地：Samsung 首发 GDDR7，SK hynix 将 HBM3E 带入 NVIDIA Blackwell 平台，移动端与通用计算则由 16Gb LPDDR5X 与 DDR5 系列承载出货。高比特产出的 DDR/LPDDR 与高价值密度的 HBM/GDDR，正在形成泾渭分明的双赛道格局。

全球三大厂商的技术差距被压缩至“个位数纳米”，而 CXMT 通过 16Gb DDR5-6000 已进入对标体系。可以说，当前 DRAM 的竞争已超越节点名称，真正的核心是：谁能率先在产品落地中兑现微缩红利，并在比特与价值密度之间找到最优解。

过去五年，DRAM 工艺节点的演进从 D1x、D1y、D1z，逐步进入 D1a（约 14nm）、D1b（约 12nm）、D1c（约 11nm），直至 D1d（约 10nm）时代。伴随节点持续下探，DRAM 的产品矩阵同步跨越，从 DDR4/LPDDR4X/GDDR6，全面迈向 DDR5、LPDDR5X、GDDR7，以及 HBM3/3E。这一进程不仅意味着比特密度与能效的线性提升，更意味着带宽与架构能力的非线性跃迁。资本开支暴增背后，是全球算力军备竞赛的全面爆发。

技术路径的分化尤为显著。SK hynix、Samsung 等领先厂商在 D1b 节点已明确导入 EUV 光刻，而部分厂商则继续依赖多重图形化延伸工艺窗口。在这一关键阶段，EUV 的介入已不仅是技术升级，更是产业分水岭：它决定了工艺复杂度与良率的临界点，也决定了谁能在高性能计算与 AI 时代占据主动权。

在产品端，三星已率先推出业界首款 GDDR7 芯片（D1z、8Gb），为下一代 GPU 平台提供支撑。这一里程碑式产品标志着图形显存正式进入 GDDR7 世代，验证了高频与能效的新基线。另一方面，HBM 路线则快速迈入 HBM3E。SK hynix 最新 8Hi 堆叠的 HBM3E，将核心 die 从 16Gb（D1z）提升至 24Gb（D1b），在堆高不变的情况下实现容量跃升，并已服务于 NVIDIA Blackwell HGX B200 平台。这种“堆高不变、密度跃升”的模式，将 HBM 从高端 HPC 推向更广泛的 AI 训练与推理市场。

总体来看，10nm 级 DRAM 技术演进与产品落地呈现三大特征：其一，工艺路线双轨并进，EUV 与多重图形化短期内并存；其二，产品谱系全面升级，GDDR7 与 HBM3E 同步进入量产，拉动新一轮高性能计算需求；其三，产业竞争格局进一步集中，领先厂商通过节点与产品双重突破，强化市场壁垒。换言之，10nm 级 DRAM 已不只是制程的数字游戏，而是全球算力产业的“核武竞赛”。

DRAM 的性能与成本演进，本质上取决于存储单元的缩小能力。随着制程进入 10nm 级，Cell Size 的收缩已经不再依赖单一方向，而是由 缩小率（Shrink Ratio, S/R）与 Pitch 收敛双重驱动。换句话说，DRAM 厂商的竞争不只是“几纳米的节点差距”，而是对主动区、字线、位线三大关键 Pitch 的全方位博弈。

在主动区（Active Area）与字线（Word Line, WL），缩减主要来自“宽度”的压缩；而在位线（Bit Line, BL），则更多依赖“间距”的收窄。这种“宽度压缩 + 间距收缩”的路径，使得存储单元能够在保持电气稳定性的同时继续缩小。具体来看，WL/BL 的 Pitch 演进已逼近物理极限，每一次缩减都需要叠加多重图形化或 EUV 曝光技术的支撑。

S/R 的改善趋势清晰：在 D1z 至 D1b 的代际过渡中，Shrink Ratio 显著提升，意味着相同晶圆面积下可实现更高比特产出。对于厂商而言，这一指标的改善直接决定了成本曲线的斜率与盈利空间。某种程度上，S/R 的提升甚至比节点名称更具“含金量”——它决定了厂商能否在相似节点下实现差异化的比特经济学。

值得注意的是，制程演进也带来了版图设计上的新矛盾：一方面，Pitch 的极限缩减要求更激进的图形方案，另一方面，电容保持时间与信号干扰的挑战却日益突出。正因如此，10nm 级的版图演进已经不再是“单纯缩小”，而是“在稳定性与密度之间的精密平衡”。这一平衡点，决定了不同厂商能否在量产中实现良率与性能的双赢。

简而言之，DRAM 的版图演进已经进入“毫米级微调、纳米级博弈”的阶段。主动区、字线、位线的 Pitch，每一个几纳米的缩减背后，都是对光刻、材料与架构的全方位考验。行业进入 D1b 时代，版图不只是工艺的产物，更是竞争战略的缩影。

10nm 级 DRAM 已经进入“工艺与材料的双重分水岭”。节点不再仅靠几何缩小支撑，而是通过 图形化方式、介质体系与外围晶体管架构的系统性升级，共同推动比特密度与可靠性的提升。

首先，在图形化路径上，D1b 成为 EUV 与多重图形化的交汇点。SK hynix 已在 D1b 节点采用 EUV（Self-Aligned Negative Litho Process, SNLP），以减少掩模层数并提高关键线宽的一致性；而 Micron 则继续沿用 Cross SAQP×2（自对准四重图形化），在既有工艺窗口内深挖潜力。这意味着，短期内业界存在两条并行路线：一条依赖 EUV 突破复杂度，另一条依赖多重图形化延长既有设备寿命。工艺路径的选择不仅体现技术能力，更反映资本支出与风险偏好。

其次，在电容介质体系上，厂商逐渐从单一 NbO 转向 NbO/ZrNbO 的多元化组合，不同厂商在电容侧壁采用“单侧/双侧”构型，直接影响存储单元的阈值分布与漏电控制。与之匹配的 Poly-Si/TiN 双功函数电极设计，进一步帮助控制功率和可靠性。在这个维度上，材料工程已经成为工艺竞争的关键变量：谁能在可靠性与比特密度之间找到最佳平衡，谁就能在节点微缩中抢占先机。

第三，外围晶体管架构全面转向高介电金属栅（HKMG），已成为行业共识。在此之上，PMOS 的 SiGe 外延厚度出现差异：Samsung、SK hynix 约为 8.0nm，而 Micron 约为 9.4nm。看似微小的厚度差异，实则决定了功耗与性能的平衡点。这种“纳米级的微调”正成为厂商差异化的重要来源。

归纳来看，10nm 级 DRAM 工艺竞争已不再是单维度的“光刻之争”，而是 图形化路线 + 材料体系 + 外围晶体管的“三维对比”。EUV 的渗透速度、电容材料的选择与 PMOS 外延厚度的取舍，共同决定了谁能在性能、良率、成本三角中实现最佳均衡。用一句话概括：在 10nm 级 DRAM，工艺路径已成为战略抉择，材料细节则是胜负手。

在 10nm 级 DRAM 的竞争中，厂商之间的差距已压缩至“个位数纳米”。无论是线宽（D/R 指标）还是电容构型，竞争已进入微缩极限下的细节较量。

首先，从 D/R 指标来看，SK hynix、Samsung、Micron 与长鑫（CXMT）已经在 10nm 级展开正面对标。其中，国际三大厂商（Samsung、SK hynix、Micron）在 D1z 至 D1b 代际保持极小差距，展现出接近同步的推进节奏。相比之下， CXMT 则通过快速爬坡缩小差距，其最新 16Gb DDR5-6000 已进入对比序列。这一突破不仅意味着国产厂商在高带宽应用上实现“代际追平”，更体现出其在光刻、材料和电容设计上的积累逐步显现。

在电容材料与外围工艺方面，厂商差异更加明显。国际厂商已全面采用 HKMG 架构，并在 SiGe 外延厚度上展现差异化——Samsung 与 SK hynix 约为 8.0nm，而 Micron 选择 9.4nm。这背后是不同厂商在性能与功耗之间的取舍逻辑：前者偏重性能释放，后者则倾向于功耗控制与良率保障。与此同时，电容介质 NbO/ZrNbO 的不同侧向构型，也反映出各厂在可靠性与密度之间的战略偏好。

总体而言，全球 DRAM 技术格局进入“三强鼎立 + 中国追赶”的新阶段。三大国际厂商在节点、材料与架构上的演进保持高度接近，竞争重心转向“细节最优”；而 CXMT 通过 DDR5-6000 的实证进入对比样本，标志着国产厂商首次在核心产品上进入第一梯队的讨论范围。未来数年，全球 DRAM 竞争将不仅是节点之争，更是材料体系与比特经济学的系统较量。

在 DRAM 产业链中，“每片晶圆可产出的最大比特数”是衡量经济性的核心指标之一。它不仅决定单片成本，还直接影响资本回报率和产品定价权。

从数据来看，DDR 与 LPDDR 的比特产出区间最高，单片晶圆可实现 3~3.5TB 的比特容量；相比之下，GDDR 与 HBM 的比特产出相对有限，仅在 1.5~2TB 区间。这种差异并非工艺不足，而是产品定位与价值逻辑的不同：DDR/LPDDR 面向高出货量、低成本敏感型市场，需要极致的比特密度以摊薄成本；而 GDDR 与 HBM 则属于“带宽优先”，更强调系统性能的溢价能力。

由此可见，比特经济学在不同产品族中呈现出两极化趋势：一端是 DDR/LPDDR 的规模驱动，通过高密度实现低成本扩展；另一端是 HBM/GDDR 的性能驱动，依靠带宽溢价锁定高附加值市场。前者追求的是“比特最大化”，后者追求的则是“价值密度最大化”。

这种分化趋势与算力需求结构高度契合。AI 训练与高性能计算推动 HBM/GDDR 需求激增，市场对“带宽溢价”的接受度显著提升；而在 PC、移动与服务器通用内存中，DDR/LPDDR 依然以成本为核心逻辑，确保出货规模与市场覆盖率。资本开支的投入方向也在呼应这一分化：先进产线逐步向 HBM/GDDR 倾斜，而成熟产能则继续服务 DDR/LPDDR 的大规模生产。

换句话说，DRAM 产业已经分裂为两条清晰赛道：一条是 DDR/LPDDR 的“比特规模逻辑”，另一条是 HBM/GDDR 的“带宽溢价逻辑”。前者以产出极限换取成本优势，后者则用系统性能锁定利润洼地。未来的盈利能力，将取决于厂商能否在比特与价值密度之间找到最优平衡点。

2025 年下半年，DRAM 技术观察的重点已经清晰：节点继续迈向 D1b 与 D1c，EUV 的渗透程度将成为行业分水岭；在产品端，HBM3E、GDDR7 与高频 LPDDR5X 将持续主导话题，成为市场验证新技术与新材料的最佳样本。

从工艺演进看，未来的关注点在于 EUV 与多重图形化的博弈。随着掩模复杂度和良率挑战的加剧，EUV 的渗透已不再是“可选项”，而是“必答题”。然而，对于资本开支相对保守的厂商，多重图形化依旧是延续生产线寿命的重要路径。下半年，相关拆解将揭示不同厂商在工艺选择上的真实取舍。

在产品层面，HBM3E 已通过 NVIDIA Blackwell 平台完成市场落地，其“同堆高、密度提升”的模式将成为行业标杆。与此同时，GDDR7 已由 Samsung 首发量产，预计将快速进入高端 GPU 市场。移动端则以 16Gb LPDDR5X 为主力，厂商将在速率、功耗与封装形态上展开持续优化。这些产品将构成下半年技术追踪的核心样本库。

从竞争格局看，三大国际厂商在先进节点上的差距极小，核心观察点在于细节最优：电容材料体系的选择、SiGe 外延厚度的取舍、EUV 的层数控制。国产厂商 CXMT 则已凭借 16Gb DDR5-6000 进入对比序列，下半年能否在更高代际产品中保持节奏，将是观察其追赶路径的关键。

总体而言，2025 年下半年 DRAM 的分析工作将围绕三条主线展开：

节点与工艺 —— D1b/D1c 节点下 EUV 的渗透与图形化方案对比；

产品与市场 —— HBM3E、GDDR7 与 LPDDR5X 的性能与应用验证；

厂商格局 —— 三强鼎立下的细节差异，以及 CXMT 的代际追赶进展。

一句话总结：未来半年，DRAM 的焦点不在于“是否微缩”，而在于“如何微缩”与“谁能先在关键产品上兑现”。